利用掃描穿隧電子顯微鏡(Scanning Tunneling Microscopy, STM),我們能提供原子級解析度的影像,以及對應的電子能帶結構資訊。我們獨特的剖面量測技術,更可以進行多種材料的異質介面及元件量測,提供關鍵的資訊。目前我們專注在前瞻半導體元件、低維度材料、光電材料、量子材料以及超導體的研究,從表面和剖面量測,搭配外加電場(例如閘極、汲極偏壓)、照光、變溫等功能進行臨場量測,探討不同調變因素對材料在原子尺度的影響,提供材料、元件運作時的關鍵特性資訊。 我們期待能藉由實驗室獨特的原子級解析量測技術,與各國學界、產業界進行合作,探討新穎材料與元件的特質,開發不同的可能性。