自旋電子與新穎材料實驗室

本實驗室的研究包括三個面向：第一是磁性材料的研究，旨在優化各種磁性異質結構以應用於下一代晶片之磁性元件。第二則是自旋電子元件工程，研究自旋霍爾效應及其在 MRAM (磁性隨機存取記憶體) 產業中的潛在應用。最後，我們也試圖分析磁性異質結構中的磁域壁和其他自旋結構的動力學，以應用於非傳統、次世代人工智慧晶片領域，如神經形態計算。